PID

Photo Imageable Dielectric
PID Photo Imageable Dielectric LG Chem Moderne Werkstoffe Photosensitives Hochleistungs-Isoliermaterial zur Realisierung feiner Schaltungsmuster in fortschrittlichen Halbleitergehäusen
PID Photo Imageable Dielectric LG Chem Moderne Werkstoffe Photosensitives Hochleistungs-Isoliermaterial zur Realisierung feiner Schaltungsmuster in fortschrittlichen Halbleitergehäusen

Photosensitives Hochleistungs-Isoliermaterial zur Realisierung feiner Schaltungsmuster in fortschrittlichen Halbleitergehäusen

PID (Photo Imageable Dielectric) ist ein photosensitives Isoliermaterial, das in modernen Halbleiter-Packages zur Bildung feiner Leiterstrukturen eingesetzt wird, die den Halbleiterchip mit dem Substrat verbinden. Es erhöht die Präzision der Mikroschaltungen und gewährleistet stabile elektrische Isolationseigenschaften, wodurch Leistung und Zuverlässigkeit des Packages maßgeblich verbessert werden.

Mit der rasanten Entwicklung von KI-Technologien steigt die Nachfrage nach leistungsfähigeren Halbleitern erheblich. LG Chem bietet PID-Lösungen mit hochauflösenden Musterbildungs-Eigenschaften und ausgezeichneter Zuverlässigkeit für die Realisierung ultrafeiner Strukturen. Zudem ermöglicht ein breites Portfolio aus flüssigen und filmischen Produkten maßgeschneiderte Materiallösungen entsprechend den Prozessanforderungen und technischen Herausforderungen der Kunden.

Produktanfrage

Produktmerkmale

Hohe Zuverlässigkeit

Hohe Auflösung

Niedrigtemperaturhärtung

Umweltfreundlich (PFAS-frei)

Produktnutzung

Funktionen und Struktur

● Proprietäres Materialdesign zur gleichzeitigen Sicherstellung hoher Auflösung und hervorragender Zuverlässigkeit
● Stabile Niedrigtemperaturhärtung sowie geringe Schrumpfung und Feuchtigkeitsaufnahme zur Verbesserung der Prozessstabilität und Zuverlässigkeit
● Umweltfreundlich, frei von PFAS und organischen Lösungsmitteln (NMP, Toluol)
● Als Filmtyp erhältlich, geeignet für die Realisierung feiner Schaltungen auf großflächigen Panels und Substraten

Schematische Darstellung der 2.xD-Packagestruktur: Abbildung eines interposerbasierten 2.xD-Packages, in dem PID (Photo Imageable Dielectric) als Isolationsschicht zwischen Chip und Verdrahtung eingesetzt wird
Schematische Darstellung der 2.xD-Packagestruktur: Abbildung eines interposerbasierten 2.xD-Packages, in dem PID (Photo Imageable Dielectric) als Isolationsschicht zwischen Chip und Verdrahtung eingesetzt wird
  • In einer interposerbasierten Package-Struktur zur Integration mehrerer Halbleiterchips wird PID als Isolationsschicht zwischen Chips und Leiterbahnen eingesetzt. Es ist ein Schlüsselmaterial zur Umsetzung feiner Schaltungsstrukturen, stabiler elektrischer Isolation und hoher Package-Zuverlässigkeit.

Produktgruppe

    Fortschrittliche Klebstoffprodukte und ihre Funktionen

      Produktanfrage

      Produktklassifikation

      Produktklassifikation :Category ,Grade ,Features ,Applications ,Download
      Category Grade Features Applications Download
      PID
      Positive Type (Liquid)
      • Hohe Auflösung und ausgezeichnete Haftung auf dem Substrat
      • Hervorragende thermische, mechanische und elektrische Eigenschaften
      • Niedrige Schrumpfrate, vorteilhaft für die Herstellung von Mehrlagenschaltungen und hochintegrierten Packages
      • FO-WLP / PLP (PMIC, mobiler AP)
      • 2.xD (KI-Beschleuniger)
      • Isoliermaterial für Glassubstrate
      PID
      Negative Type (Liquid)
      • Hohe Zuverlässigkeit, hohe Auflösung sowie ausgezeichnete Haftung auf dem Substrat
      • Realisierung von niedrigem Dielektrizitätskoeffizienten (Low Dk) und geringem dielektrischen Verlust (Low Df), vorteilhaft zur Kontrolle von Leckströmen und Übersprechen zwischen Leiterbahnen bei Hochgeschwindigkeitssignalübertragung
      • FO-WLP / PLP (PMIC, mobiler AP)
      • 2.xD (KI-Beschleuniger)
      • Isoliermaterial für Glassubstrate
      PID
      Negative Type (Film)
      • Anwendbar für Film-Laminationsprozesse
      • Geeignet für großflächige Panels
      • FO-WLP / PLP (PMIC, mobiler AP)
      • FC-BGA / FC-CSP
      • 2.xD (KI-Beschleuniger)
      • Isoliermaterial für Glassubstrate

      FAQ

      • PID ist ein photoimageables Isolationsmaterial, das die direkte Strukturierung feiner Muster durch Belichtung und Entwicklung mittels Photolithografie ermöglicht. Es basiert typischerweise auf Polyimid-, Epoxid- oder Acrylharzen und wird als Isolationsschicht in der Halbleiterverpackung, einschließlich RDL-Strukturen, eingesetzt.
      • PID übernimmt die elektrische Isolation innerhalb des Packages, verhindert Kurzschlüsse zwischen Kupferleitungen und ermöglicht die Bildung feiner Via- und Line/Space-Strukturen. Zusätzlich dient es als mechanische Schutzschicht zur Erhöhung der Package-Zuverlässigkeit und Integrationsdichte.
      • PID wird hauptsächlich in Backend- und Packaging-Prozessen eingesetzt, darunter Fan-Out WLP, Fan-In WLP, Flip-Chip sowie 2.5D- und 3D-Packaging, insbesondere als Isolationsschicht in RDL- und Via-Prozessen.
      • PID ermöglicht typischerweise Line/Space-Auflösungen von etwa 2–10 μm sowie Via-Öffnungen von 5–20 μm. Hochauflösende PID-Materialien erlauben auch Strukturen unter 2 μm.
      • Da PID auf photolithografischer Strukturierung basiert, bestimmen Auflösung und Präzision direkt die Integrationsdichte des Packages. Hochauflösende PID ist unverzichtbar für mehrlagige RDL-, Fan-Out- sowie AI/HPC-Packages.
      • Niedrigtemperaturhärtendes PID kann unter 200 °C ausgehärtet werden und schützt temperaturempfindliche Bauelemente. Es reduziert Warpage und mildert Zuverlässigkeitsprobleme durch CTE-Mismatch, wodurch es für Fan-Out- und großflächige Panel-Prozesse geeignet ist.
      • Zu den zentralen Eigenschaften zählen hohe Auflösung, stabile Isolationsleistung, thermische und mechanische Stabilität, Rissbeständigkeit sowie hervorragende Haftung auf Kupfer und Substraten.
      • Entscheidend sind die Zielauflösung, Härtungstemperatur und Prozessfenster, Haftung auf Kupfer und Substraten, Package-Zuverlässigkeit, stabile Ausbeute in der Serienfertigung sowie Kompatibilität mit bestehenden Packaging-Prozessen.
      • Differenzierungsmerkmale sind hohe Auflösung für Feinmuster, Kombination aus niedriger Härtetemperatur und hoher Wärmebeständigkeit, niedriges Spannungsniveau mit Crack-Free-Eigenschaften, exzellente Kupferhaftung, niedrige Dielektrizität und hohe Prozessstabilität.
      • Film-PID zeichnet sich durch hohe Dickenhomogenität, geringen Materialverlust und Vorteile bei großflächigen Panel-Prozessen aus. Zudem verbessert es Ausbeute, reduziert Reinraumkontamination und erleichtert Handhabung und Lagerung im Vergleich zu flüssigem PID.
      • Da PID in direktem Kontakt mit Kupferleitungen und Seed-Layern steht, kann unzureichende Haftung zu Ablösungen, offenen Verbindungen und Zuverlässigkeitsverlust führen. Eine exzellente Kupferhaftung ist daher entscheidend für Prozessstabilität, Ausbeute und Langzeitzuverlässigkeit.

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