PID

Photo Imageable Dielectric
PID Photo Imageable Dielectric LG화학 첨단소재 첨단 반도체 패키지의 미세 회로 패턴을 구현하는 감광성 고성능 절연 소재
PID Photo Imageable Dielectric LG화학 첨단소재 첨단 반도체 패키지의 미세 회로 패턴을 구현하는 감광성 고성능 절연 소재

첨단 반도체 패키지의 미세 회로 패턴을 구현하는 감광성 고성능 절연 소재

PID(Photo Imageable Dielectric)는 첨단 반도체 패키지에서 반도체 칩과 기판을 연결하는 미세 회로를 형성하기 위해 사용되는 감광성 절연재입니다. 미세 회로의 정밀도를 높이고 안정적인 전기적 연결을 위한 절연 특성을 확보하여 패키지의 성능과 신뢰성을 향상시키는 핵심 역할을 합니다.

AI 기술 고도화로 첨단 반도체 성능 향상에 대한 수요가 급증하는 가운데, LG화학은 초미세 회로 구현에 필요한 고해상도 패터닝 특성과 우수한 신뢰성을 갖춘 PID를 제공하고, 액상 및 필름 기반의 폭넓은 제품 라인업을 통해 고객의 공정 조건과 기술적 과제에 최적화된 소재 솔루션을 제시합니다.

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특징

우수한 신뢰성

고해상도

저온 경화

친환경(PFAS Free)​

제품용도

제품 기능 및 구조

• 독자적인 소재 설계로 고해상도 특성 및 고신뢰성 동시 구현
• 안정적인 저온 경화 특성 및 낮은 수축 · 흡수율 특성으로 공정 안정성 및 신뢰성 향상
• 과불화 화합물(PFAS), 유기 용매(NMP, Toluene) 등이 첨가되지 않은 친환경 제품
• 필름형 PID 제품으로 대면적 패널 / 기판 미세회로 구현

2.xD 패키지 구조도, 인터포저 기반 2.xD 패키지에서 PID(Photo Imageable Dielectric)가 칩과 배선 사이의 절연층으로 적용된 이미지
2.xD 패키지 구조도, 인터포저 기반 2.xD 패키지에서 PID(Photo Imageable Dielectric)가 칩과 배선 사이의 절연층으로 적용된 이미지
  • 인터포저 기반으로 다수의 반도체 칩을 집적하는
    패키지 구조에서, PID는 칩과 배선 사이 절연층으로 적용되어
    미세 회로 패턴 구현과
    안정적인 전기적 절연,
    패키지 신뢰성을 지원하는 핵심 소재​

제품그룹

    제품 구조 및 용도

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      PID
      Positive Type (Liquid)
      • 고해상도 및 우수한 기재 밀착력
      • 우수한 열적 · 기계적 · 전기적 특성 구현
      • 저수축률 특징을 활용한 다층회로, 고집적 패키지 제작에 유리
      • FO-WLP / PLP (PMIC, 모바일 AP)
      • 2.xD (AI가속기)
      • 유리기판용 절연소재
      PID
      Negative Type (Liquid)
      • 고신뢰성, 고해상도 및 우수한 기재 밀착력 확보
      • 고속 신호 전송에 발생하는 배선간 누설, 누전 현상 제어에 유리한 저유전율(Low Dk) 및 저유전 손실율(Low Df) 특성 구현
      • FO-WLP / PLP (PMIC, 모바일 AP)
      • 2.xD (AI가속기)
      • 유리기판용 절연소재
      PID
      Negative Type (Film)
      • 필름 Lamination 공정 적용 가능
      • 대면적 패널 적용 가능
      • FO-WLP / PLP (PMIC, 모바일 AP)
      • FC-BGA / FC-CSP
      • 2.xD (AI가속기)
      • 유리기판용 절연소재

      FAQ

      • PID는 포토 리소그래피 공정을 통해 노광·현상만으로 미세 패턴을 직접 형성할 수 있는 감광성 절연 소재입니다.
        주로 폴리이미드, 에폭시, 아크릴 계열 수지를 기반으로 하며, 반도체 패키징용 절연막, 재배선층(RDL) 절연층 등에 사용됩니다.​
      • PID는 반도체 패키지 내에서 전기적 절연 역할을 수행하며, Cu 배선 간 쇼트를 방지하고 Via 및 Line/Space 패턴을 형성해 미세 배선을 가능하게 합니다.
        또한 기계적 보호층으로 작용해 패키지 신뢰성과 집적도를 향상시킵니다.​
      • PID는 주로 반도체 후공정(Back-End, Packaging) 단계에서 적용됩니다.
        Fan-Out WLP, Fan-In WLP, Flip-Chip, 2.5D/3D 패키징 등 다양한 첨단 패키지 공정에 사용되며, RDL 공정 및 Via 형성 공정의 절연층으로 적용됩니다.​
      • PID는 일반적으로 Line/Space 기준 약 2~10 μm 수준의 해상도를 구현할 수 있으며, Via Opening은 약 5~20 μm 수준이 가능합니다.
        고해상도 PID의 경우 2 μm 이하 미세 패턴도 구현이 가능합니다.
      • PID는 포토 리소그래피 기반으로 미세 패턴을 형성하기 때문에 해상도와 공정 정밀도가 패키지의 집적도와 직결됩니다.
        고해상도 PID는 미세 Via, 좁은 Line/Space 구현이 가능해 고다층 RDL, Fan-Out, AI/HPC 패키징에서 필수적인 소재입니다.​
      • 저온 경화 PID는 200 °C 이하에서 경화가 가능해 열에 민감한 반도체 소자를 보호하고, 워페이지(Warpage) 감소 및 CTE 불일치로 인한 신뢰성 문제를 완화시킵니다. 또한 Fan-Out 및 대면적 패널 공정에 적합합니다.
      • PID의 주요 특성으로는 미세 패턴 구현이 가능한 고해상도 특성이 있습니다.
        또한 안정적인 절연 성능, 열·기계적 안정성, Crack 저항 및 Cu·기판에 대한 우수한 접착력 등이 있으며, 이러한 특성들은 반도체 패키지의 신뢰성과 공정 안정성에 직접적인 영향을 미칩니다.
      • PID를 선택할 때는 타겟 패턴 해상도 충족 여부, 경화 온도와 공정 윈도우, Cu 및 기판에 대한 접착력, 패키지 신뢰성, 양산 수율 안정성, 그리고 기존 패키징 공정과의 호환성을 종합적으로 고려해야 합니다. ​
      • PID 소재의 차별화 요소는 고해상도 미세 패턴 대응력, 저온 경화와 고내열 특성의 동시 구현, 저응력 설계에 따른 Crack Free 특성, 우수한 Cu 접착력, 저유전 특성 및 공정 안정성입니다.​
      • 필름 PID는 두께 균일성이 우수하고 재료 낭비가 적으며 대면적 패널 공정에 유리합니다.
        또한 수율 향상, 클린룸 오염 감소, 취급과 보관의 용이성 측면에서 액상 PID 대비 장점을 가지고 있습니다.
      • PID는 Cu 배선 및 Seed Layer와 직접 접촉하므로 Cu 접착력이 부족할 경우 박리, 오픈 불량, 신뢰성 저하가 발생합니다.
        우수한 Cu Adhesion을 갖춘 PID는 RDL 공정 안정성과 수율 향상은 물론, 장기 신뢰성 확보 측면에서 핵심 성능 지표로 평가됩니다.

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